院士之路 第397章 从四川资阳走出来的工程院院士、着名半导体技术专家罗毅

院士出生地

罗毅院士，1960年2月出生，四川资阳人。

资阳位于四川盆地中西部，西北靠成都和德阳，西南连眉山、内江，东北邻遂宁，东南接重庆，是四川唯一直接连接成渝“双核”的地级市，是成都东南方向出川和重庆西北方向入川的咽喉要地。

资阳历史悠久，西汉时，这里置资中县。

南北朝时，称资阳。汉武帝建元六年（前135年），资阳建置开始。

1949年12月，设资中专区，资阳县属川南行政公署资中专区。

1993年撤销资阳县，设立县级资阳市，由地级内江市代管。

1998年设立资阳地区。

2000年，资阳地区改为地级资阳市，原县级资阳市改为雁江区。

资阳人文底蕴深厚，它是四川古文明发祥地之一，“资阳人”是距今3.5万-4万年的人类直立智人头骨化石。

安岳石刻始凿于521年，历经1500年积淀，是中国石窟艺术史上的丰碑。

资阳民俗文化丰富，成渝民俗在资阳交汇融合，使资阳方言趋同于成渝湖广话，具有独特的音乐感。

此外，资阳人爱川剧，以前各乡场都有业余川剧班。

资阳宗教文化浓厚，道教、佛教于东汉年间传入资阳，天主教、基督教于清代乾隆、光绪年间传入，拥有众多信徒和宗教活动场所。

资阳名人辈出，苌弘，东周时期蜀地资州人，是孔子之师，中国古代着名政治家、教育家、天文学家、音乐家、军事家，被尊为“东方的孔子”。

王褒，西汉时期蜀资中（今四川省资阳市雁江区昆仑乡墨池坝）人，是中国历史上着名的辞赋家，与扬雄并称“渊云”，代表作有《洞箫赋》等。

出生地解码

罗毅院士的出生地四川资阳，虽非其学术成长的直接物理空间，却通过历史文化、地缘格局与群体氛围的深层浸润，为其科学之路埋下多重隐性伏笔。

资阳作为古蜀文明核心区，安岳石刻“三教合一”的文化融合性，潜移默化塑造了跨学科思维。

这种兼容特质在罗毅研究中清晰显现——其早年在日本东京大学将半导体技术与量子信息交叉融合，突破单一领域局限。

而“资阳人”头骨化石所承载的“探索未知”基因，更与他“在人类认知边界凿开裂缝”的科研理念形成精神呼应，奠定原始创新的潜意识驱动力。

资阳地处成渝“双核”连接点的区位优势，使其在恢复高考后成为区域教育高地。

罗毅就读的资阳中学作为四川首批重点中学，为其提供了优质基础教育，助其以高分考入清华。

这种“枢纽区位”带来的教育资源倾斜，暗合巴蜀地区“耕读传家”传统——即便成长于工厂家庭，仍能通过系统性教育突破阶层壁垒，为科研之路打下扎实根基。

1960年代资阳农村的教育条件虽有限，但“扫盲运动”让罗毅父母获得基础文化，营造了重视知识的家庭氛围。

1977年高考恢复后，资阳中学的重点中学定位，成为其跨越城乡差距的关键跳板。

这种从工厂子弟到顶尖学府的跃迁经历，塑造了“爬坡过坎”的坚韧特质——正如他在半导体光电子器件研究中，带领团队攻克“薄型化”“超宽带”等“卡脖子”技术，将基层突围的韧性转化为科研攻坚的耐力。

资阳对罗毅的影响，本质是历史积淀、地缘机遇与时代浪潮在个体生命中的共振。

古蜀文明的开放包容、成渝枢纽的教育资源、院士群体的榜样力量、城乡跃迁的成长历程，共同构成其科学精神的“文化场域”。

这种影响并非显性因果，却如安岳石刻的雕刻线条般，在时光中悄然塑造着其科研方向的选择（聚焦国家战略需求）与人才培养理念（推动产学研融合），最终将地域文化基因升华为“以科技报国”的时代担当。

院士求学之路

1983年，罗毅获得清华大学学士学位。

1987年，罗毅获得日本东京大学硕士学位。

1990年，领域获得日本东京大学博士学位。

求学之路解码

罗毅院士的求学之路以清华与东京大学为双支点，构建起“基础理论—前沿技术—产业实践”的立体成长框架。

罗毅在清华电子工程系接受系统训练，使他掌握了从器件设计到工艺实现的全链条能力，形成“问题导向—系统优化”的思维范式。

本科阶段，他参与半导体实验室项目，培养自己对技术细节的极致把控力（如工艺参数调试能力），为后续解决光电子器件产业化难题奠定方法论基础。

同期，国内半导体技术与国际的差距，使他确立了“芯片报国”的科研使命。

这一信念成为他回国组建团队、突破“卡脖子”技术的核心驱动力。

罗毅在东京大学的七年深造，实现三重突破。

他聚焦半导体光电子学，硕士研究量子阱结构设计，博士主攻超高速光电子器件，精准对接光纤通信产业需求。

他师从行业权威，参与Ntt联合实验室项目，掌握mbE等顶尖技术，建立纳米级材料制备能力。

博士阶段，他对量子阱能带结构的原子级精确计算，形成“从微观机制解决宏观性能”的研究路径。

他坚持自主技术路线，如回国后力主发展增益耦合技术，突破国外主导的折射率耦合路径局限。

他吸收日本“精益生产”理念，将实验数据精度要求提升至小数点后四位，并促成清华与住友电工等企业的技术合作，引入先进封装工艺。

罗毅在日本企业工作经历，使他深刻理解“实验室成果—工程化—产业化”的鸿沟。

回国后，他主导改造国产mbE设备，通过提升真空度（至5x10??pa）将材料缺陷密度降低两个数量级。

在技术路线选择上，他摒弃盲从，基于东京大学研究积累，他成功研发高成品率dFb激光器（单模率从10%提升至50%），相关成果获国家技术发明奖。

总之，罗毅在清华的工程底蕴、东京的前沿探索与日本产业实践的叠加，使他兼具基础研究的深度（发表300余篇ScI论文）与产业转化的力度（授权专利34项）。

这种“学术-技术-产业”的贯通式成长，使他在光电子芯片领域实现从跟跑到并跑的跨越。

这印证了顶尖科学家的成就，往往源于多元教育资源的系统性赋能与时代需求的精准响应。

院士从业之路

1990年4月—1992年3月，罗毅在日本光计测技术开发株式会社中央研究所，担任研究员。

1992年4月—1992年12月，罗毅担任清华大学电子工程系讲师。

1992年12月起，罗毅担任清华大学电子工程系教授。

1995年，罗毅获得国家杰出青年科学基金资助。

1997年—2012年，罗毅担任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

2021年，罗毅当选为中国工程院院士。

从业之路解码

罗毅院士的从业之路，对他后来成为院士产生了重要的影响。

罗毅参与光通信模块封装项目，接触到日本企业“精益生产”体系。

从mbE设备的真空度控制（提升至10??pa）到量子阱材料缺陷密度优化（降低至10?cm?2），他亲身见证“实验室技术”到“量产产品”的1000米跨越。

罗毅发现国外对关键工艺参数的严格保密（如外延层生长速率误差＜1%），深刻体会到“技术主权”的重要性，为回国后坚持自主工艺路线埋下伏笔。

罗毅回国后主导改造国产mbE设备，引入日本企业的真空优化方案（加装钛升华泵）。

这使自主制备的InGaAsp材料性能接近国际水平，相关成果成为其申请国家杰出青年科学基金的核心支撑。

罗毅将日本“产官学”合作模式本土化，促成清华与深圳某企业合作开发LEd外延片。

他通过优化图形化衬底技术，使蓝光LEd发光效率提升15%，初步建立产学研协同方法论。

罗毅从讲师到教授的身份转变，伴随“光电子集成器件实验室”的筹建。

初期他带领5人团队，聚焦dFb激光器核心技术，通过“老带新”模式培养出首批科研骨干（如 later 成为长江学者的团队成员）。

罗毅放弃当时热门的微电子专业，坚定选择光电子领域，提出“光通信芯片国产化”目标。

罗毅获国家杰出青年科学基金后，将研究重点从单一器件转向“材料-器件-模块”集成体系，构建起完整的技术链条。

罗毅推动实验室与中科院半导体所、吉林大学的跨区域合作，建立“材料生长-器件制备-系统测试”的全流程平台，设备国产化率从30%提升至60%。

罗毅主导制定《半导体光电子器件可靠性测试方法》等5项国家标准，打破国外在测试认证领域的垄断。

罗毅建立“青年教师-博士后-博士生”的梯度培养体系，培养出10余位国家级人才，形成光电子领域的“清华学派”。

针对国外器件单模成品率低（10%）的缺陷，罗毅带领团队采用“增益耦合 电吸收调制器集成”技术，使国产器件成品率提升至50%，成本降低60%，2008年实现对中兴、华为的批量供货。

罗毅突破“超宽带光谱匹配”难题，研发出国内首枚40Gb\/s高速光芯片，使我国光通信核心器件与国际差距从5年缩短至2年，相关成果获2017年国家技术发明二等奖。

罗毅与华为共建“光电子芯片联合研发中心”，采用“高校出专利、企业出场景”的模式，3年孵化12项产业化技术（如低功耗调制器芯片）。

罗毅推动成立清华控股的光电子公司，将实验室技术转化为商用产品，2020年相关产品销售额突破2亿元，形成“学术-产业”闭环。

罗毅将日本的精细化研发、美国的基础研究范式，转化为“国产设备 自主工艺 市场导向”的中国方案。

罗毅累计发表ScI论文367篇，h指数48，在IEEE光子学会等国际组织担任要职，建立中国光电子领域的国际话语权。

从“八五”到“十四五”，罗毅持续承担国家重大科研项目，其研究始终对准“卡脖子”清单，如2019年启动的“硅基光电子集成”项目，直接服务于国产芯片自主可控战略。

罗毅的从业之路是中国科学家“引进—消化—吸收—创新”的典型样本。

日本企业的经历让他看清技术差距，清华的平台赋予其突破底气，重点实验室的管理经验使其具备系统整合能力，而持续的产业贡献则让其研究获得国家认可。

这种“跨国视野 本土深耕 产业落地”的复合路径，使他既能在学术共同体中获得权威认证（当选IEEE Fellow），又能在国家战略层面实现技术突破，最终成为中国光电子产业从跟跑到并跑的标志性人物。

后记

罗毅院士的出生地、求学及从业经历，为他成为院士奠定了坚实基础。

资阳的历史文化底蕴赋予他坚韧、奋进的精神，这种精神贯穿科研始终，面对难题时他坚持不懈，为攻克技术难关提供内在动力。

求学经历奠定学术根基。

清华大学本科学习，让他掌握扎实的电子工程理论，为后续科研打下基础。

日本东京大学的深造，使他接触到前沿知识和先进科研方法，拓宽了国际视野，在半导体光电子领域的深入研究，让他具备深厚学术造诣。

从业历程实现科研突破。

在日本企业工作，他积累了丰富的实践经验，了解产业需求。

回国任教并担任实验室主任，带领团队开展科研，获得国家杰出青年科学基金资助。

他承担重要项目，取得众多成果，如研发新型激光器、优化LEd技术等。以上这些因素相互交织、共同作用，最终使他成功当选为中国工程院院士。

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