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科技入侵现代 第413章 我们就差这张牌了!

作者:鸦的碎碎念 分类:科幻 更新时间:2025-11-11 14:19:18

第413章 我们就差这张牌了!

其他专家固然没有办法从专业的角度听懂其中的难度,但光是凭借直觉就能明白这有多难了。

用一个拥有近乎无穷解空间的、典型的np-hard问题,这些形容词和最后的名词,听起来就觉得困难。

近乎无穷解,在数学知识大约等于数学系大一大二学生的工业专家们看来,和近乎无法求解没有区别。

坐在魏哲边上的专家,看他的脸色也能看出端倪,看魏哲一副惊呆的样子,就知道林燃又做了什么惊天动地的结果出来。

梁孟松举手,林燃点了点头:“梁工,你说。”

“林总,”梁孟松的语气很沉重,“您从算法层面为我们提供了解决方案,现在我们从理论上能做到。

但是在现实世界中要到,我们需要有精度足够高的模板,有了这样的模板,我们才能用nil光刻机去印所谓的超构透镜,才能拥有传统路线光刻机所需的镜头。

我解释一下,我们要制造的,是带有5纳米级别结构的超构透镜母版模板。

而要制造这个母版,我们需要一台电子束写入机。”

“这东西,就像一支笔。”梁孟松努力用最简单的语言解释,“光刻机,像一台巨大的印刷机,可以把模板上的图案,一秒钟复印几十次。

而电子束写入机,就是那支用来制作印刷母版的、最原始的笔。

你的笔有多细,决定了你的母版有多精细。

而我们,我们国产的、最先进的电子束写入机,能稳定刻画的最小线宽,是65纳米。

用65纳米的笔,去雕刻5纳米的图案,这是不可能的。”

多电子束写入机是一种用于高精度图案转移的先进半导体制造设备,通过使用多个电子束同时在晶圆上写入图案。

梁孟松说的更常见一点的名词叫掩膜版,光透过掩膜版在硅片上印上图案,掩膜版的精度决定了硅片上集成电路的精度。

用来制作掩膜版的机器就叫多电子束写入机,它一次只能制作一块掩膜版,适用于小批量、高复杂性的图案制造需求。

总结来说,没有最先进的电子束写入机,就无法制造出用于生产最先进芯片的掩膜版。

它是整个半导体制造产业链的“源头”,其战略重要性,丝毫不亚于euv光刻机本身。

全球最先进的、用于euv级别的多电子束掩膜写入机,其市场被奥地利的ims nanofabrication公司,现已被英特尔绝对控股。

另一家霓虹公司nuflare technology也在研发,但市场份额和技术应用广度上都有差距,这是东芝的子公司。

国内的申海微电子旗下也有子公司在负责研发,但精度是90nm到65nm之间。

无论是哪个技术路线的光刻机,都需要有掩膜版,在母版上面去印刷。

会议室里,刚刚因数学突破而燃起的乐观气氛,瞬间被浇灭了。

大家都是业内人士,很清楚梁孟松说的是事实。

没有最顶尖的笔,再完美的设计图也只是一张废纸。

林燃说:“这不是问题,我们虽然没有最先进的笔,但是有次一级的笔。”

林燃看向台下的杨德人说道:“杨院士,你来说说吧。”

随即把舞台交给杨院士。

杨德人站起来,自豪道:“诸位,很荣幸的告诉各位,就在三个月前,由我们浙大的余杭所牵头,联合国内相关单位,历经十余年年攻关的、我国第一台具备商业化能力的高精度多电子束写入机,已经完成了最终测试。

我们以华国古代最伟大的书法家之名,将其命名为——羲之。”

(我国首台6nm的电子束光刻机-羲之,来自hz市政府官网,不知道为啥国内媒体没咋报道,完全没热度)

“羲之和传统的光刻机不同。”杨院士接着说道:“它不需要掩膜版,而是通过计算机控制,用一道能量极高的、被聚焦到极致的电子束,直接在硅基材料上书写电路。

因此,它可以随时修改设计,反复调试,特别适合芯片研发初期的验证,以及制造像超构透镜母版这样、独一无二的超高精度元件。”

最后杨院士深吸了一口气,报出了那两个让所有人屏息的数字:“它的性能指标,最小稳定线宽为8纳米,电子束定位精度为0.6纳米。”

“这不可能!定位精度0.6纳米?这精度是不是太夸张了?”

“0.6纳米?比老美的精度还要更高?”

“那岂不是意味着我们能造0.6纳米的透镜?卧槽,这回是光源跟不上镜头了。”

杨院士的脸上是掩饰不住的自豪,这可是我们浙大搞的!

“为了让大家理解,我继续用笔来做比喻。

8纳米线宽,是羲之这支笔,在宣纸上能写出的稳定清晰的那个笔锋。

而0.6纳米精度,则是这支笔的笔尖,本身是由几根更加纤细的、几乎达到原子尺度的狼毫组成的。

你必须拥有一根足够锐利的笔尖,才有可能去驾驭和书写出极细的笔锋。”

林燃直视梁孟松:“梁工程师,我想你应该想到了。”

此时的梁孟松已经两眼放光:“用这支8纳米的笔,我们确实没有办法画出5纳米的母版。

8纳米的极限,意味着我们无法稳定、大规模地制造出完美的5纳米结构。

良率会是一个灾难。

这可是一次性要画超过10的14次方个天线结构,这确实做不到。

但是我们可以用这支笔,去设计一套更聪明的笔法。

我们能用duv光刻机通过多重曝光技术,造出远比它极限更低的电路尺寸。

同样的我们可以借鉴在晶圆制造上已经成熟的自对准四重曝光的思路,把它反过来,应用在母版制造上!

我们用羲之,先刻画出一个16纳米周期的基础图案,然后通过多次、精准的沉积和蚀刻,在母版上,自我生长、复制出周期为4纳米的结构!

这在工艺上,极其复杂,但在理论上,是完全可行的!”

林燃鼓掌道:“没错,数学层面的问题我帮你们已经解决了,母版的制造需要靠各位的努力,它绝对不会容易,但也绝对能够实现。

最后一步的刻录,有从佳能进口的nil光刻机来帮我们做到!

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